Bültmann & Gerriets
Functionality-Enhanced Devices
An Alternative to Moore's Law
von Pierre-Emmanuel Gaillardon
Verlag: Institution of Engineering & Technology
Reihe: Materials, Circuits and Device
Gebundene Ausgabe
ISBN: 978-1-78561-558-0
Erschienen am 23.01.2019
Sprache: Englisch
Format: 236 mm [H] x 163 mm [B] x 23 mm [T]
Gewicht: 635 Gramm
Umfang: 344 Seiten

Preis: 150,50 €
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Klappentext
Inhaltsverzeichnis

The book provides thorough and systematic coverage of enhanced-functionality devices and their use in proof-of-concept circuits and architectures. The theory and materials science behind these devices are addressed in detail, and various experimental fabrication techniques are explored.




  • Chapter 1: Introduction to functionality-enhanced devices

  • Part I: Materials and device research related to functionality-enhanced devices

    • Chapter 2: Germanium-based polarity-controllable transistors

    • Chapter 3: Two-dimensional materials for functionality-enhanced devices

    • Chapter 4: Wse2 polarity-controllable devices

    • Chapter 5: Carrier type control of MX2 type 2D materials for functionality-enhanced transistors

    • Chapter 6: Three-independent gate FET's super steep subthreshold slope

    • Chapter 7: Super sensitive terahertz detectors



  • Part II: Applications and design techniques of functionality-enhanced devices

    • Chapter 8: CNT and SiNW modeling for dual-gate ambipolar logic circuit design

    • Chapter 9: Physical design of polarity controllable transistors

    • Chapter 10: BCB benchmarking for three-independent-gate field effect transistors

    • Chapter 11: Exploratory logic synthesis for multiple independent gate FETs

    • Chapter 12: Ultrafine grain FPGAs with polarity controllable transistors

    • Chapter 13: Tunnel FET-based security primitive design




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