VLSI and Post-CMOS Electronics Design, Modelling and Simulation von Rohit Dhiman, Rajeevan Chandel Verlag: Institution of Engineering & Technology Reihe: Materials, Circuits and Device Gebundene Ausgabe ISBN: 978-1-83953-051-7 Erschienen am 25.11.2019 Sprache: Englisch Format: 239 mm [H] x 163 mm [B] x 20 mm [T] Gewicht: 726 Gramm Umfang: 368 Seiten
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Klappentext
Inhaltsverzeichnis
VLSI and Post-CMOS Electronics is a useful reference guide for researchers, engineers and advanced students working in the area of design and modelling of VLSI and post-CMOS devices and their circuits.
Chapter 3: Low-voltage, low-power SRAM circuits using subthreshold design technique
Chapter 4: Design and analysis of memristor-based DRAM cell for low-power application
Chapter 5: Design of a novel tunnel FET for low-power applications
Chapter 6: Composite PFD based low-power, low noise, fast lock-in PLL
Section II: Modelling and simulation for post-CMOS device and circuit design
Chapter 7: Emerging devices beyond CMOS: fundamentals, promises and challenges
Chapter 8: Two-dimensional material-based field-effect transistors for post-silicon electronics
Chapter 9: Theory and modelling of spin-transfer-torque based electronic devices
Chapter 10: Spintronics memory and logic: an efficient alternative to CMOS technology
Chapter 11: Tunneling field effect transistors for energy efficient digital, RF and power management circuit designs enabling IoT edge computing platforms
Chapter 12: High performing metal-oxide semiconductor thin-film transistors