Bültmann & Gerriets
VLSI and Post-CMOS Electronics
Design, Modelling and Simulation
von Rohit Dhiman, Rajeevan Chandel
Verlag: Institution of Engineering & Technology
Reihe: Materials, Circuits and Device
Gebundene Ausgabe
ISBN: 978-1-83953-051-7
Erschienen am 25.11.2019
Sprache: Englisch
Format: 239 mm [H] x 163 mm [B] x 20 mm [T]
Gewicht: 726 Gramm
Umfang: 368 Seiten

Preis: 158,50 €
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Klappentext
Inhaltsverzeichnis

VLSI and Post-CMOS Electronics is a useful reference guide for researchers, engineers and advanced students working in the area of design and modelling of VLSI and post-CMOS devices and their circuits.




  • Section I: Low voltage and low power VLSI design

    • Chapter 1: Low-voltage analog signal processing

    • Chapter 2: Negative bias temperature instability (NBTI) aware low leakage circuit design

    • Chapter 3: Low-voltage, low-power SRAM circuits using subthreshold design technique

    • Chapter 4: Design and analysis of memristor-based DRAM cell for low-power application

    • Chapter 5: Design of a novel tunnel FET for low-power applications

    • Chapter 6: Composite PFD based low-power, low noise, fast lock-in PLL



  • Section II: Modelling and simulation for post-CMOS device and circuit design

    • Chapter 7: Emerging devices beyond CMOS: fundamentals, promises and challenges

    • Chapter 8: Two-dimensional material-based field-effect transistors for post-silicon electronics

    • Chapter 9: Theory and modelling of spin-transfer-torque based electronic devices

    • Chapter 10: Spintronics memory and logic: an efficient alternative to CMOS technology

    • Chapter 11: Tunneling field effect transistors for energy efficient digital, RF and power management circuit designs enabling IoT edge computing platforms

    • Chapter 12: High performing metal-oxide semiconductor thin-film transistors

    • Chapter 13: CNTFETs: modelling and circuit design




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