1. Einleitung.- 1.1. Übersicht und Problemstellung.- 1.2. Optisch angeregte Nichtgleichgewichtsträger.- 2. Photoleiter bei homogener Anregung.- 2.1. Lebensdauer der Nichtgleichgewichtsträger.- 2.2. Rekombination der Nichtgleichgewichtsträger.- 2.2.1. Band-Band-Rekombination.- 2.2.2. An- und Abklingen bei linearer und nichtlinearer Rekombination.- 2.2.3. Rekombination über Zentren.- 2.2.4. Hafteffekte.- 2.3. Photoleitfähigkeit bei Anregung aus Störstellen.- 2.4. Oberflächenrekombination.- 3. Diffusion und Drift von Nichtgleichgewichtsträgern.- 3.1. Bilanzgleichungen.- 3.2. Lösungen der Bilanzgleichungen in Spezialfällen.- 3.2.1. Lösungen ohne äußeres elektrisches Feld.- 3.2.2. Lösungen mit äußerem elektrischem Feld.- 3.3. Photoeffekte.- 3.3.1. Photoleitfähigkeit.- 3.3.2. DEMBEE-Effekt.- 3.3.3. Raumladungen und Neutralitätsbedingung.- 3.3.4. Photoelektromagnetischer Effekt.- 3.3.5. Photo-HALL-Effekt.- 3.4. An- und Abklingen bei inhomogener Anregung.- 4. Photoeffekte in inhomogenen Halbleitern.- 4.1. Photospannungen an Dotierungsinhomogenitäten.- 4.2. pn-Photoeffekt.- 4.3. Photoeffekte in gradierten Halbleitern.- 4.4. Oberflächenphotoeffekt.- 4.5. Weitere Photoeffekte.- 5. Elementarprozesse der Rekombination.- 5.1. Strahlende Rekombination.- 5.1.1. Direkte Übergänge.- 5.1.2. Indirekte phononenassistierte Übergänge.- 5.1.3. Berechnung der strahlenden Rekombination aus den optischen Konstanten eines Halbleiters.- 5.1.4. Weiteres zur strahlenden Rekombination.- 5.2. AxxGEB-Rekombination.- 5.3. Rekombination durch Wechselwirkung mit den thermischen Gitterschwingungen.- 5.4. Zum Vergleich der Rekombinationsmechanismen.- 6. Photoeffekte bei Änderung der Verteilungsfunktion.- 6.1. Photoeffekte der veränderten Energieverteilung.- 6.2. Photon-Drag-Effekt.- 7. Photoeffekte bei hohen Anregungsdichten.- 7.1. Experimentelle Methoden.- 7.2. Experimentelle Ergebnisse und ihre Interpretation.- 7.3. NLO-Effekte bei der Untersuchung der Photoleit-fähigkeit mit Laserimpulsen.- 8. Halbleiterwerkstoffe für Strahlungsempfänger.- 8.1. AIIBVI-Halbleiter mit großer Energielücke.- 8.2. Ge, Si und Substanzen mit vergleichbarer Energielücke.- 8.3. Halbleiter mit schmaler verbotener Zone.- 9. Photoelektrische Halbleiterbauelemente.- 9.1. Kenngrößen von Halbleiter-Strahlungsempfängern.- 9.2. Photowiderstände.- 9.3. Photodioden.- 9.4. Photodioden mit innerer Verstärkung.- 9.5. PEM-Detektoren.- 9.6. Detektoren auf der Grundlage von Photoeffekten infolge gestörter Verteilungsfunktion.- 9.7. Integrierte Anordnungen von Photoempfängern.- 10. Literaturverzeichnis.- 10.1. Zusammenfassende Darstellungen zur Photoleit-fähigkeit bzw. zu Strahlungsempfängern.- 10.2. Zitierte Originalliteratur.- 11. Sachverzeichnis.