Bültmann & Gerriets
SPICE
Analyseprogramm für elektronische Schaltungen Benutzerhandbuch mit Beispielen
von Ernst E. E. Hoefer, Horst Nielinger
Verlag: Springer Berlin Heidelberg
Reihe: Informationstechnik und Datenverarbeitung
E-Book / PDF
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ISBN: 978-3-642-70270-9
Auflage: 1985
Erschienen am 12.03.2013
Sprache: Deutsch
Umfang: 223 Seiten

Preis: 38,66 €

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Inhaltsverzeichnis

1 Einführung.- 1.1 Geschichte.- 1.2 Mathematische Methoden in SPICE.- 1.3 Die Programmstruktur von SPICE.- 1.4 Definitionen und Vereinbarungen.- 2 Schaltelemente.- 2.1 Numerische Werte.- 2.1.1 Zahlendarstellung.- 2.1.2 Maßstabsfaktoren.- 2.1.3 Einheiten.- 2.1.4 Optionale Angaben und Ersatzwerte.- 2.1.5 Genauigkeit der Ergebnisse.- 2.2 Passive Schaltelemente.- 2.2.1 Widerstand R.- 2.2.2 Kapazität C.- 2.2.3 Induktivität L.- 2.2.4 Gekoppelte Induktivitäten K.- 2.2.5 Verlustlose Leitung T.- 2.3 Gesteuerte Quellen.- 2.3.1 Lineare gesteuerte Quellen.- 2.3.1.1 Lineare spannungsgesteuerte Stromquelle G.- 2.3.1.2 Lineare spannungsgesteuerte Spannungsquelle E.....- 2.3.1.3 Lineare stromgesteuerte Stromquelle F.- 2.3.1.4 Lineare stromgesteuerte Spannungsquelle H.- 2.3.2 Nichtlineare gesteuerte Quellen.- 2.3.2.1 Nichtlineare spannungsgesteuerte Stromquelle G....- 2.3.2.2 Nichtlineare spannungsgesteuerte Spannungsquelle E.- 2.3.2.3 Nichtlineare stromgesteuerte Stromquelle F.- 2.3.2.4 Nichtlineare stromgesteuerte Spannungsquelle H....- 2.4 Unabhängige Quellen V, I.- 2.4.1 Gleichspannungsquelle DC.- 2.4.2 Zeitabhängige Quellen.- 2.4.2.1 Pulsquelle PULSE.- 2.4.2.2 Sinusquelle SIN.- 2.4.2.3 Exponentialquelle EXP.- 2.4.2.4 Polygonquelle PWL.- 2.4.2.5 Frequenzmodulierte Sinusquelle SFFM.- 2.4.3 Kleinsignal - Wechselquelle AC.- 2.4.4 Kombinierte Quellen.- 2.5 Halbleiterelemente.- 2.5.1 Diode D.- 2.5.2 Bipolartransistor Q.- 2.5.3 Sperrschicht - Feldeffekttransistor J.- 2.5.4 MOS - Feldeffekttransistor M.- 3 Analysearten.- 3.1 Ergebnisausgabe.PRINT,.PLOT.- 3.1.1 Steuerung des Ein- und Ausgabe - Formats.WIDTH.- 3.2 Gleichstromanalyse.- 3.2.1 Gleichstrom - Arbeitspunkt.OP.- 3.2.2 Gleichstrom - Kennlinie.DC.- 3.2.3 Gleichstrom - Kleinsignal - Vierpolparameter.TF.- 3.2.4 Gleichstrom - Empfindlichkeiten.SENS.- 3.2.5 Gleichstrom - Anfangsbedingungen.NODESET.- 3.3 Einschwinganalyse.TRAN.- 3.3.1 Anfangsbedingungen für die Einschwinganalyse.- 3.3.2 Fourieranalyse.FOUR.- 3.4 Wechselstrom - Kleinsignalanalyse.AC.- 3.5 Verzerrungsanalyse.DISTO.- 3.6 Rauschanalyse.NOISE.- 3.7 Temperaturanalyse.TEMP.- 3.8 Parametervariation.ALTER.- 4 Beschreibung der internen Halbleitermodelle.- 4.1 Diode D.- 4.1.1 Statisches Verhalten.- 4.1.2 Dynamisches Verhalten.- 4.1.3 Temperaturabhängigkeit.- 4.1.4 Kleinsignalmodell.- 4.1.5 Rauschmodell.- 4.2 Bipolartransistor NPN, PNP.- 4.2.1 Statisches Verhalten.- 4.2.2 Dynamisches Verhalten.- 4.2.3 Temperaturabhängigkeit.- 4.2.4 Kleinsignalmodell.- 4.2.5 Rauschmodell.- 4.3 Sperrschicht - Feldeffekttransistor NJF, PJF.- 4.3.1 Statisches Verhalten.- 4.3.2 Dynamisches Verhalten.- 4.3.3 Temperaturabhängigkeit.- 4.3.4 Kleinsignalmodell.- 4.3.5 Rauschmodell.- 4.4 MOS - Feldeffekttransistor NM0S, PM0S.- 4.4.1 Statisches Verhalten.- 4.4.2 Dynamisches Verhalten.- 4.4.3 Temperaturabhängigkeit.- 4.4.4 Kleinsignalmodell.- 4.4.5 Rauschmodell.- 5 Teilschaltunqen.SUBCKT.- 5.1 Allgemeine Teilschaltung.- 5.2 Makromodell eines bipolaren Operationsverstärkers.- 6 Optionen.OPTIONS.- 6.1 Programm- und Laufzeitstatistiken.- 7 Beispiele.- 7.1 Emitterverstärker.- 7.1.1 DC - Analyse.- 7.1.2 Analyse der Verzerrungen.- 7.1.3 Rauschen.- 7.2 Linearer Übertrager.- 7.3 Simulation von Leitungen in der Digitaltechnik (TTL).- 7.3.1 Ungekoppelte Leitungen.- 7.3.2 Gekoppelte Leitungen.- 7.4 Kippschaltungen.- 7.4.1 Flip - Flop.- 7.4.2 Schmitt - Trigger.- 7.4.3 Astabiler Multivibrator.- 7.5 Entwurf und Simulation eines CMOS - Operationsverstärkers.- 7.5.1 Einleitung.- 7.5.2 Elementare Theorie für die Dimensionierung.- 7.5.2.1 Quasistatische Kleinsignalverstärkung der Differenzverstärkerstufe.- 7.5.2.2 Quasistatische Kleinsignalverstärkung der zweiten Stufe.- 7.5.2.3 KleinsignalVerstärkung des Gesamtverstärkers bei Berücksichtigung von Kapazitäten und Kompensation.- 7.5.3 Festlegungen für die Verstärkerdimensionierung.- 7.5.4 Dimensionierung des CMOS - Operationsverstärkers.- 7.5.5 Simulation des entworfenen CMOS - Operationsverstärkers....- 7.6 Aktiver RC-Bandpaß mit Operationsverstärkern.- 7.7 Colpitts - Oszillator.- 8 Bezugsquellen und Literaturhinweise.- 9 Literaturverzeichnis.- 10 Stichwortverzeichnis.


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