Bültmann & Gerriets
Electronic Properties of Doped Semiconductors
von B. I. Shklovskii, A. L. Efros
Übersetzung: S. Luryi
Verlag: Springer Berlin Heidelberg
Reihe: Springer Series in Solid-State Sciences Nr. 45
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ISBN: 978-3-662-02403-4
Auflage: 1984
Erschienen am 09.11.2013
Sprache: Englisch
Umfang: 388 Seiten

Preis: 139,09 €

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Inhaltsverzeichnis

I Lightly Doped Semiconductors.- 1. The Structure of Isolated Impurity States.- 2. Localization of Electronic States.- 3. The Structure of the Impurity Band for Lightly Doped Semiconductors.- 4. A General Description of Hopping Conduction in Lightly Doped Semiconductors.- 5. Percolation Theory.- 6. Dependence of Hopping Conduction on the Impurity Concentration and Strain in the Crystal.- 7. Hopping Conduction in a Magnetic Field.- 8. Activation Energy for Hopping Conduction.- 9. Variable-Range Hopping Conduction.- 10. Correlation Effects on the Density of States and Hopping Conduction.- II Heavily Doped Semiconductors.- 11. Electronic States in Heavily Doped Semiconductors.- 12. The Density-of-States Tail and Interband Light Absorption.- 13. The Theory of Heavily Doped and Highly Compensated Semiconductors (HDCS).- III Computer Modelling.- 14. Modelling the Impurity Band of a Lightly Doped Semiconductor and Calculating the Electrical Conductivity.- References.


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