Silicon carbide is the only WBG semiconductor that possesses a high-quality native oxide suitable for use as an MOS insulator in electronic devices. Thermal oxidation of SiC produces a layer of SiO2 on the surface, while the carbon atoms from the SiC form CO, which escapes as a gas. Thus it is possible to make all the devices found in silicon IC technology in SiC, including high quality, stable MOS transistors and MOS integrated circuits.

Vivek Kumar hat seinen Master-Abschluss in Gartenbau am Sam Higginbottom Institute of Agriculture Technology & Science, Allahabad, Indien, gemacht. Zurzeit promoviert er im Gartenbau an der SKN Agriculture University, Jobner (Jaipur) Rajasthan, Indien. Er hat eine gute akademische Laufbahn. Er ist aktiv an landwirtschaftlichen Forschungsaktivitäten beteiligt.