Bültmann & Gerriets
Leistungsanalyse verschiedener CMOS-basierterDRAM-Zellen-Strukturen
Aufbau der DRAM-Zelle
von Prateek Asthana, Akhilesh Kumar, Arunava Poddar
Verlag: Verlag Unser Wissen
Hardcover
ISBN: 9786203934335
Erschienen am 14.07.2021
Sprache: Deutsch
Format: 220 mm [H] x 150 mm [B] x 4 mm [T]
Gewicht: 102 Gramm
Umfang: 56 Seiten

Preis: 39,90 €
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Klappentext
Biografische Anmerkung

Dynamic Random Access Memories (DRAMs) sindaufgrund ihrer geringen Kosten und schnellen Arbeitsgeschwindigkeitin allen Arten von elektronischenGerätenweit verbreitet.Neben den umfangreichen AnwendungenmarkiertdieMassenproduktion von DRAMs in der Regel die Reife der entsprechenden Halbleitertechnologie, die durch Marktanforderungenund Wettbewerbkontinuierlich zu kleineren Abmessungen und hoher Ausbeute getrieben wird.Generell wird die Massenproduktion einer neuen DRAM-Generationmeist als Meilenstein einer neuen Ära der Halbleitertechnologie angesehen. Wie der Begriff"DRAM" schon andeutet, handelt es sich um eine Art flüchtigen Speicher, d.h. die gespeicherten Daten müssen "dynamisch" aufgefrischt werden, um eine korrekte Speicherfunktion zu gewährleisten; auf jedes Bit im DRAM kann im Vergleich zu einem herkömmlichen Tonbandgerät"zufällig" zugegriffen werden.



El Dr. Prateek Asthana trabaja como profesor asistente en el Instituto Bharat de Ingeniería y Tecnología, Hyderabad. El Dr. Akhilesh Kumar trabaja como profesor asistente en la Universidad de Chitkara, Punjab. El Dr. Arunava Poddar trabaja como profesor asistente en la Universidad de Shoolini, Solan. Los autores han publicado más de 50 publicaciones de investigación.